場效應管

VDMOS簡介

垂直導電-雙擴散-金屬-氧化層-半導體-場效應管
Vertical-Double diffused-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, VDMOSFET

Metal就是Gate柵極作為控制極的，而Oxide是柵氧作為場效應感應反型溝道的，Semiconductor自然就是襯底溝道的硅了，而Field Effect自然就是說它的工作原理了，它的控制極是靠柵極電壓通過柵極氧化層感應產生反型溝道實現源漏導通，從而實現“0”和“1”的轉換。

VD MOS  芯片結構

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